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赫尔纳供应德国microchemicals蚀刻剂

更新时间:2023-08-10

访问量:200

厂商性质:经销商

生产地址:

简要描述:
赫尔纳供应德国microchemicals蚀刻剂25° C 时的蚀刻速率约为每分钟 0.3-0.4 µm。我们建议在 8-16% (30%) 的存在下执行蚀刻过程。如果不添加过氧化氢,蚀刻速率会显着降低且不均匀。
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公司简介:

我们的光刻胶、溶剂、蚀刻化学品、晶圆和电镀电解液的产品范围外,我们努力在我们的支持下,作为我们产品的用户,使您在洁净室中的工作尽可能高效,我们的集装箱尺寸。

microchemicals蚀刻剂主要产品:

microchemicals蚀刻剂

microchemicals光刻胶

microchemicals蚀刻剂产品型号:

TiW etch 200

TechniEtchCN10

microchemicals蚀刻剂产品特点:

清漆:商业酚醛清漆作为遮蔽清漆(例如 AZ ®光致抗蚀剂)

金属:蚀金、铬、镍;铜

半导体材料:SiSiO2Si3N4

低底切(在层厚范围内),结构分辨率低于1μm

对许多材料具有选择性,包括电镀金属

与油漆掩模兼容

microchemicals蚀刻剂产品应用:

microchemicals蚀刻剂TiW etch 200是一种钛钨蚀刻剂,用于钛钨合金层的湿化学结构化,对金、铂、镍、铬等金属具有选择性。常见的应用领域可以在半导体和微系统技术的粘合层结构中找到。铜镍蚀刻液坚硬和耐腐蚀的金属,在显微结构中经常被用作基体和成长的金属层之间的厚度层。作为硅基底和铝基底之间的分水岭,它是阻止硅在 Alzur 中渗透的屏障。铝尖峰是指铝从中分离出来的硅回到空气中,由此产生的短路。

microchemicals蚀刻剂TechniEtchCN10是一种由硝酸和磷酸组成的铜和镍蚀刻溶液。25° 时的蚀刻速率约为每分钟 0.3-0.4 µm。我们建议在 8-16% (30%) 的存在下执行蚀刻过程。如果不添加过氧化氢,蚀刻速率会显着降低且不均匀。microchemicals蚀刻剂蚀刻速率取决于钛沉积工艺和所得的晶体结构。正电阻、负电阻和反转电阻在正性抗蚀剂的情况下,曝光区域由于在那里形成茚羧酸而变得可溶于显影剂。由于正性抗蚀剂不会交联,超过其软化点(约 100-130°C)会导致抗蚀剂轮廓变圆。

microchemicals蚀刻剂AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXTAZ ® 125nXT等负性抗蚀剂通过后续烘烤步骤(对于AZ ® 125nXT则不需要)在曝光区域中交联,并保留在曝光区域中。显影后的基材。microchemicals蚀刻剂室温下铜的蚀刻速率通常约为 至 3.5 μm/min。只有添加氨来稳定 pH 值,蚀刻溶液才能连续运行(氨会随着时间的推移而逸出,具体取决于循环条件)。如果不进行跟踪,蚀刻液会提前耗尽。铜产量为 30 至 50 /升。microchemicals蚀刻剂建议迟在蚀刻速率降低20%或蚀刻时间延长不符合规范时丢弃该溶液。

microchemicals蚀刻剂Cu etch 200 UBM是一种中性(弱碱性)铜蚀刻剂,用于湿式化学去除铜层,作为电镀开始,对 NiAuCrSnTi 等金属具有选择性。适用于半导体和微系统技术,例如,在电镀铜后去除起始层以进行凸块下金属化 (UBM) 时。40°时的蚀刻速率通常为 10 至 15 nm/minRT 时的蚀刻速率相应较低。在室温下,约 180 秒即可结构化/去除 30 纳米厚的铬层。microchemicals蚀刻剂蚀刻液稳定,可根据要求多次使用。蚀刻混合物集中于TiTiWTiNCu凸块柱的连接,以自行混合。microchemicals蚀刻剂TechniEtch™ TBR19 浓缩物与大多数凸块下金属化 (UBM) 和铜柱集成材料兼容,例如铜、铝、镍、玻璃、有机基板和许多塑料,例如聚丙烯、HDPEPFAKalrez PTFEPEEK 和 PE50℃时的蚀刻速率约为1000A/minmicrochemicals蚀刻剂在高温下,也能防止油漆轮廓变圆。然而,在高工艺温度下,热交程度会增加到湿化学剥离变得困难。

 

 



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